30v conception bandgap alimentation

B

butterfish

Guest
Mon alimentation est de 2V à 30V, j'ai besoin de concevoir un bangap générer une tension de référence 1.2V, avec CMOS processus standard. Toute idear ou papier? merci pour votre aide!
 
l'alimentation est 30V cela est trop grand de la MOS dans le travail CMOS standard ne peux processus, car il ne peut pas udertake la haute tension, vous devez utiliser le processus de BCD, à mon avis
 
Merci pour la réponse! Si je choisis de haute tension CMOS processus (et non Bi-CMOS), peut-il travailler? Pourriez-vous expliquer davantage sur BCD?
 
peut-être la tension de bande interdite n'est pas assez précis avec processus d'approvisionnement élevé. Je ne sais pas s'il ya processus d'approvisionnement faible dans ce processus. Si elle comprend, vous pouvez créer un régulateur LDO. Vous pouvez créer une bande interdite avec le processus d'alimentation basse.
 
à mon avis CMOS processus peut utiliser LDD (lumière vidange dopé) ou une méthode pour augmenter anothe la tension de claquage du MOS ce processus ont besoin de la BCD approvisionnement Fab est Biopolar DMOS CMOS processs DMOS comme c'est le dispositif à haute tension utilisée comme MOS swicth vous pouvez conncet Fab pour obtenir leur propre lib-vous qu'ils peuvent fournir au processus de haute tension de la tension de claquage du MOS nomal ne peux pas jusqu'à 30V
 
Bonjour, vous pouvez concevoir un LDO par la haute tension de sortie peut processus.Les LDO d'approvisionnement pour la bande interdite que vous pouvez utiliser la structure de bande interdite standard.
 
Généralement U faut preregulating de référence BGR. C'est LDO avec la référence de tension (bande interdite) fourni par la sortie de ce régulateur LDO. Cette solution de démarrage requere circuit approprié. U solution plus compacte peut trouver dans ce document (il peut être facilement adoptées pour traiter HV): # 749446 http://www.edaboard.com/viewtopic.php?p=749446
 
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