T
triquent
Guest
J'ai essayé de simuler un inveter, mais j'ai quelques problèmes:
BSIM3 Fatal ** ** À compter d'erreur <longueur de canal = 0Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
Je suis niveau 49 en utilisant les paramètres du modèle.N'importe qui ne savent comment y remédier?
MY ---------------- code -----
. Échelle option = 1U sonde poste précis
. Tsmc18dP lib 'PMOS
. Tsmc18dN lib 'NMOS
DMV DMV!0 1.2
GND vgnd!0 0
vin à 0 0 0 pwl 1ns 0 1.2ns 1,2 1,2 2ns
MN0 à GND!GND!W = 270N TSMC18dN L = 180.0n M = 1
MP0 dans la DMV!DMV!W = 270N TSMC18dP L = 180.0n M = 1
. TRAN 0.01ns 2ns
v sonde. (en) v (sur)
. Fin
HSPICE fichier de sortie avec des erreurs ---------- ------
* AVERTISSEMENT ** deux nuds de source 0: vgnd
sont reliés entre eux
** ATTENTION ** dispositif MOSFET 0: mmp0 cdsat est trop faible à la température de 25,000
value = 1.23453E-37, cdsat remis à epsmin
** ATTENTION ** dispositif MOSFET 0: mmp0 cssat est trop faible à la température de 25,000
value = 1.23453E-37, cssat remis à epsmin
BSIM3 Fatal ** ** À compter d'erreur <longueur de canal = 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur moyen efficace largeur <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** À compter d'erreur <longueur de canal = 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur moyen efficace largeur <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur de longueur de canal efficace pour CV <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur largeur du chenal est efficace pour les CV <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
** ATTENTION ** dispositif MOSFET 0: mmn1 cdsat est trop faible à la température de 25,000
value = 1.23453E-37, cdsat remis à epsmin
** ATTENTION ** dispositif MOSFET 0: mmn1 cssat est trop faible à la température de 25,000
value = 1.23453E-37, cssat remis à epsmin
BSIM3 Fatal ** ** À compter d'erreur <longueur de canal = 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur moyen efficace largeur <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** À compter d'erreur <longueur de canal = 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur moyen efficace largeur <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur de longueur de canal efficace pour CV <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur largeur du chenal est efficace pour les CV <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
Emploi ***** avortés
1 ****** HSPICE - V-2004,03 (20040116) 16:51:52 11/08/2005 Solaris
******
************************************************** **********************
****** Résumé tnom statistiques sur l'emploi temp = 25.000 = 25.000
BSIM3 Fatal ** ** À compter d'erreur <longueur de canal = 0Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
Je suis niveau 49 en utilisant les paramètres du modèle.N'importe qui ne savent comment y remédier?
MY ---------------- code -----
. Échelle option = 1U sonde poste précis
. Tsmc18dP lib 'PMOS
. Tsmc18dN lib 'NMOS
DMV DMV!0 1.2
GND vgnd!0 0
vin à 0 0 0 pwl 1ns 0 1.2ns 1,2 1,2 2ns
MN0 à GND!GND!W = 270N TSMC18dN L = 180.0n M = 1
MP0 dans la DMV!DMV!W = 270N TSMC18dP L = 180.0n M = 1
. TRAN 0.01ns 2ns
v sonde. (en) v (sur)
. Fin
HSPICE fichier de sortie avec des erreurs ---------- ------
* AVERTISSEMENT ** deux nuds de source 0: vgnd
sont reliés entre eux
** ATTENTION ** dispositif MOSFET 0: mmp0 cdsat est trop faible à la température de 25,000
value = 1.23453E-37, cdsat remis à epsmin
** ATTENTION ** dispositif MOSFET 0: mmp0 cssat est trop faible à la température de 25,000
value = 1.23453E-37, cssat remis à epsmin
BSIM3 Fatal ** ** À compter d'erreur <longueur de canal = 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur moyen efficace largeur <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** À compter d'erreur <longueur de canal = 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur moyen efficace largeur <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur de longueur de canal efficace pour CV <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur largeur du chenal est efficace pour les CV <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
** ATTENTION ** dispositif MOSFET 0: mmn1 cdsat est trop faible à la température de 25,000
value = 1.23453E-37, cdsat remis à epsmin
** ATTENTION ** dispositif MOSFET 0: mmn1 cssat est trop faible à la température de 25,000
value = 1.23453E-37, cssat remis à epsmin
BSIM3 Fatal ** ** À compter d'erreur <longueur de canal = 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur moyen efficace largeur <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** À compter d'erreur <longueur de canal = 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur moyen efficace largeur <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur de longueur de canal efficace pour CV <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
BSIM3 Fatal ** ** erreur largeur du chenal est efficace pour les CV <= 0
Dispositif: W =-9.99973e-09, L =-1.99998e-08
Emploi ***** avortés
1 ****** HSPICE - V-2004,03 (20040116) 16:51:52 11/08/2005 Solaris
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****** Résumé tnom statistiques sur l'emploi temp = 25.000 = 25.000