Besoin de ressources sur le stress sti - en vrac connexion / substrat du robinet

V

vandenm

Guest
Salut Quelqu'un at-il de la documentation ou des liens Web sur le stress sti? Je suis particulièrement intéressé par l'endroit où positionner le cadre en vrac / robinets substrat. Tout ce que j'ai lu jusqu'à présent ne couvre pas cette zone. Sur les grands processus que j'ai aménagé avec des dispositifs-dire un M = 6 de la manière suivante: bsgdgsbsgdgsbsgdgsb Je comprends que les dispositifs appariés critique devrait avoir factices transistors poly ou individuellement placé avec ou sans mannequin poly pour soulager sti. Ma question est, devrait être évitée en vrac connexions à côté des broches de source et devraient-ils être placés en haut ou en bas ou un anneau si l'espace le permet? Votre aide serait grandement appréciée. Vive
 
Désolé que je ne peux pas votre question. Voulez-vous dire comment le stress dû aux IST affectent la mise en correspondance de transistor? Si oui, pouvez-vous me dire comment les deux transistors sont mises en page? Merci Scottie
 
Salut a réussi à ajouter une photo! >> Voulez-vous dire comment le stress dû aux IST affectent la mise en correspondance de transistor? Oui je le fais, mais aussi par rapport à possitioning des robinets subtrate. La source et subtrate sont normalement connecté (connexion non représenté), mais l'connexion n'est pas entré entre la prise de substrat et P-MOS que les concepteurs veulent la flexibilité de la déconnexion de source à partir du substrat. Vive
 
Selon le visuel que vous avez présenté ici, et permettez-moi de faire un "GRAND" hypothèse: La région active pour contact de substrat entre les transistors est assez grand pour amortir le stress dû à des IST Puis, tout transistor doit être la même :) C'est ma compréhension et espérons qu'il aidera Scottie
 
Pour ma compréhension des IST crée un stress mechnical. Tellement simple d'éviter de placer les zones de grille à proximité des frontières Nwell / pwell. La contrainte latérale mécanique changer la tension de seuil en fonction de l'orientation, mais je ne sais pas le montant de l'effet.
 

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