BJT référence Bandgap question

[ljy4468]

Salut
J'ai une question à propos de BJT BGR.
Attatched est mon circuit BGR.et il fonctionne bien.

Mais je n'ai connu que BJT utilisées dans la figure est utilisé comme diode.
alors, la température de la diode caractéristique utilisant la chute de tension vers l'avant.
N'est-ce pas??

Maintenant, j'ai une question à ce sujet.
Pourquoi que l'utilisation de BJT circuit au lieu de la diode?
J'ai utilisé le procédé CMOS et il me donne des modèles de deux diodes et BJT.

Quelqu'un m'aide
Thannks à l'avance /
Désolé, mais vous avez besoin de connexion pour voir cette pièce jointe

 

[gevy]

Diode P - Nwell est vraiment substrat P - N - P transistor.

 

[ljy4468]

Merci gevy
Ma question est exactement cela!
vous avez dit "diode P - Nwell est la même que substrat de la P - N - transistor P".
Alors pourquoi ne pas utiliser diode?? (Pn) (non pnp )????

 

[transbrother]

Ljy4468,

Si vous utilisez un substrat Nwell à diode, comment allez-vous faire la diode conduite tout courant, si votre sous-marins GND = (qui est le cas pour un sous-processus p), sauf si vous prenez votre potentiel Nwell au négatif? Vous avez besoin d'un isolement et c'est pourquoi vous avez une Nwell.De cette façon, vous pouvez utiliser la diode "(mieux connu sous le nom de la jonction émetteur de base) formé entre le P et Nwell.De cette façon, ni la base ni l'émetteur s'engage à GND.

 

[Grig]

Salut
Vraiment, si vous avez p diode Nwell Vous avez pnp-p -Nwell-psub

 

[JPR]

Je crois que ce que vous voulez en venir, c'est qu'il ya une structure spécifique de P / Nwell / Psub qui est utilisé pour la «bipolaire», alors vous demandez pourquoi utiliser cette structure plutôt que simplement un P / Nwell "diode".Voici mon point de vue à ce sujet:

1 - Le «bipolaire» permettant de simuler plus de précision que la diode ", car il comprendra le courant de substrat qui n'est probablement pas modélisée pour la diode".
2 - Il ya habituellement une structure spécifique pour la «bipolaire» qui a des données de caractérisation.Lors de la construction d'une structure à bande interdite, la bonne caractérisation est nécessaire afin de bien déterminer les tempco de l'émetteur-tension de base.
3 - La structure supplémentaire de la bipolaires devrait contribuer à prévenir d'injection de courant dans les autres dispositifs liés substrat.

Il ya, bien sûr, rien n'empêche l'utilisation d'un P / diode Nwell dans votre application.

 

[kidman561]

Le Vbe de BJT est plus précise que la diode.

 

[ljy4468]

Merci à tous!
Je comprends bien, bonne chance!