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Syukri
Guest
Ci-dessous les paramètres pour Microwind BSIM4 pour 0,18 fonderie.Je sais que certains de ces toxe comme épaisseur d'oxyde = mais le gras je ne sais pas.Quelqu'un peut-il m'aider*
* BSIM4 paramètres
* NMos
*
* Faible fuite
NMOS
b4vtho = 0,55
b4k1 = 0,17
b4k2 = 0,1
b4xj = 1.7e-7b4toxe = 4e-9
b4nfact = 1,69
b4toxe = 4E-9
b4ndep = 1.8E-17
b4d0vt = 2,3b4d1vt = 0,54b4vfb = -0,9b4u0 = 0,038b4ua = 2.8e-15b4uc =-0.047e-15
b4vsat = 80e3
b4pscbe1 = 320e6b4ute = -1,8b4kt1 = -0,06
b4lint =-0.01e-6
b4wint = 0.02e-6
b4xj = 1.5E-7
b4ndep = 1.7e17
b4pclm = 0,29
*
* BGP BSIM4
*
PMOS
b4vtho = 0,5
b4k1 = 0,29
b4k2 = 0,1
b4xj = 1.7e-7
b4nfact = 2,0
b4toxe = 4E-9
b4ndep = 1.8e17
b4d0vt = 2,3
b4d1vt = 0,54
b4vfb = 0,9
b4nfact = 2,2
b4u0 = 0,01
b4ua = 1e-15
b4uc =-0.047e-15
b4vsat = 60E3
b4pscbe1 = 320e6
b4ute = -1,8
b4kt1 = -0,06
b4lint =-0.04e-6
b4wint = 0.02e-6
b4xj = 1.5E-7
b4ndep = 1.7e17
b4pclm = 0,3
*
* Paramètres de simulation Microwind
*
deltaT = 0.5e-12 (simulation minimum * intervalle de dT)
DMV = 2,0
Température = 27
temps de montée = 0,05
*
* Fin CMOS de 0,18 Lm
*
*
* BSIM4 paramètres
* NMos
*
* Faible fuite
NMOS
b4vtho = 0,55
b4k1 = 0,17
b4k2 = 0,1
b4xj = 1.7e-7b4toxe = 4e-9
b4nfact = 1,69
b4toxe = 4E-9
b4ndep = 1.8E-17
b4d0vt = 2,3b4d1vt = 0,54b4vfb = -0,9b4u0 = 0,038b4ua = 2.8e-15b4uc =-0.047e-15
b4vsat = 80e3
b4pscbe1 = 320e6b4ute = -1,8b4kt1 = -0,06
b4lint =-0.01e-6
b4wint = 0.02e-6
b4xj = 1.5E-7
b4ndep = 1.7e17
b4pclm = 0,29
*
* BGP BSIM4
*
PMOS
b4vtho = 0,5
b4k1 = 0,29
b4k2 = 0,1
b4xj = 1.7e-7
b4nfact = 2,0
b4toxe = 4E-9
b4ndep = 1.8e17
b4d0vt = 2,3
b4d1vt = 0,54
b4vfb = 0,9
b4nfact = 2,2
b4u0 = 0,01
b4ua = 1e-15
b4uc =-0.047e-15
b4vsat = 60E3
b4pscbe1 = 320e6
b4ute = -1,8
b4kt1 = -0,06
b4lint =-0.04e-6
b4wint = 0.02e-6
b4xj = 1.5E-7
b4ndep = 1.7e17
b4pclm = 0,3
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* Paramètres de simulation Microwind
*
deltaT = 0.5e-12 (simulation minimum * intervalle de dT)
DMV = 2,0
Température = 27
temps de montée = 0,05
*
* Fin CMOS de 0,18 Lm
*
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