Z
Zubair
Guest
Ce poste est d'environ adaptation d'impédance de puissance RF à transistors, les transistors de puissance ont généralement peu d'intrants / impédance de sortie comme z = 2.1 - j3.9,
La première question est que ce qui est la pratique habituelle pour de contrepartie à ce transistor à faible impédance de 50 ohms à la norme, est-stub unique est le seul choix préféré pour le complexe de la transformation d'impédance réel spécifiquement dans les demandes de transistor de puissance RF ou s'il existe une option à privilégier d'autres.
La seconde question est ce que si nous avions besoin correspondant à large bande, il existe une certaine littérature comme
"Une introduction à large bande Impedance transformation pour amplificateurs RF de puissance |" Par Anthony J. Bichler
mais il parle même sac correspondant élément.Que faire si on a affaire à une adaptation large bande utilisant des éléments distribués comme microruban / lignes de transport stripline.
S'il vous plaît donner quelques références (livres ou d'articles pour les deux questions).
La première question est que ce qui est la pratique habituelle pour de contrepartie à ce transistor à faible impédance de 50 ohms à la norme, est-stub unique est le seul choix préféré pour le complexe de la transformation d'impédance réel spécifiquement dans les demandes de transistor de puissance RF ou s'il existe une option à privilégier d'autres.
La seconde question est ce que si nous avions besoin correspondant à large bande, il existe une certaine littérature comme
"Une introduction à large bande Impedance transformation pour amplificateurs RF de puissance |" Par Anthony J. Bichler
mais il parle même sac correspondant élément.Que faire si on a affaire à une adaptation large bande utilisant des éléments distribués comme microruban / lignes de transport stripline.
S'il vous plaît donner quelques références (livres ou d'articles pour les deux questions).