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wizardyhnr
Guest
Récemment je suis la conception d'un LNA de trois étapes d'un processus BiCMOS SiGe. Je veux un point de compression 1dB sortie de 10dBm ou plus pour la troisième étape de la LNA. J'ai mis la collecte actuelle 12mA Ic, et pourtant j'ai gagner un point de compression 1dB d'8.5dBm, ce qui est inférieur au chiffre de leur mérite. Ne quelqu'un avez des conseils sur la façon d'améliorer le point de compression 1dB de ce LNA?