M
mystique_unbound
Guest
quelqu'un peut-il dire comment HFE varie d'un transistor à transistor sur le même substrat.Est-ce une distribution statistique
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R
Guest
Salut,
autant que je sache HFE est un paramètre qui est décidé par le concepteur et qui sort plus ou moins par le processus de fab.Depuis la largeur à la base est le facteur décisif, je pense que cela pourrait être un facteur comme difficile à contrôler sa largeur à la perfection.
Ainsi, le problème est le plus mince devient plus imparfaite du dispositif sera ..même si le procès fab améliore aussi
Ce fut une interprétation jus ..
S'il vous plaît confirmer son bon ..
autant que je sache HFE est un paramètre qui est décidé par le concepteur et qui sort plus ou moins par le processus de fab.Depuis la largeur à la base est le facteur décisif, je pense que cela pourrait être un facteur comme difficile à contrôler sa largeur à la perfection.
Ainsi, le problème est le plus mince devient plus imparfaite du dispositif sera ..même si le procès fab améliore aussi
Ce fut une interprétation jus ..
S'il vous plaît confirmer son bon ..
C
chu
Guest
transistor à
(1) plus petits Wb (largeur à la base) ou
(2) ratio plus élevé d'émetteurs à base de dopage densités
auront plus ou βf HFE.
à partir de (1), il expliquer pourquoi npn a bêta supérieur comparer PNP.Wb de NPN est fixé par le processus, la Banque mondiale du PNP dépend de la largeur de la designer de dessiner.
à partir de (2), depuis sa dépendance dopage, vous pouvez dire que c'est de la distribution stastical.
(1) plus petits Wb (largeur à la base) ou
(2) ratio plus élevé d'émetteurs à base de dopage densités
auront plus ou βf HFE.
à partir de (1), il expliquer pourquoi npn a bêta supérieur comparer PNP.Wb de NPN est fixé par le processus, la Banque mondiale du PNP dépend de la largeur de la designer de dessiner.
à partir de (2), depuis sa dépendance dopage, vous pouvez dire que c'est de la distribution stastical.