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ahmad_abdulghany
Guest
Salut, Pour de simples transistors MOS rectangulaire, il est facile d'identifier la largeur et la longueur selon la direction du courant. Si vous avez complexes transistor MOS irrégulière (pas comme une araignée: D mais surtout comme un rectangle ayant nombreux défauts d'un ou deux côtés), est-il une méthode scientifique dans ce cas de définir W et L? Parfois, le flux de courant est toujours dans deux directions orthogonales, mais nous avons différentes zones de franchissement à la circulation du courant. J'ai vu avant un document parle grosse transistors rapport W / L avec des formes irrégulières, mais je ne peux pas me rappeler où je n'ai vu. Toutes les idées ou les papiers parler de cette question? Merci, Ahmad