concept concernant Couche enterrée

[kishanb]

Salut à tous la couche enterrée Comment réduire les verrouiller en place en effet NMOS expliquer en quelques mots? Dont Say diminution de résistance tht et verrouillez permettra de réduire Merci et regareds Kishan.B

 

[not-a-moderator]

Ces dernières années, l'évolution technologique a permis de combiner gratuits transistors MOS et bipolaires appareils en un seul processus à un coût raisonnable. Une seule couche épitaxiale n-est utilisée pour mettre en oeuvre les deux des transistors PMOS et des transistors bipolaires npn. Sa résistivité est choisi de manière à pouvoir supporter les deux dispositifs. Un n + - couche enterrée est déposé au-dessous de la couche épitaxiale pour réduire la résistance de collecteur du dispositif bipolaire, ce qui augmente simultanément l'immunité à latchup. La couche p-enterré améliore la densité de tassement, parce que la distance collecteur-collecteur des dispositifs bipolaires peuvent être réduites. Il se fait au détriment d'une augmentation de la capacité collecteur-substrat.