J
joyce2002
Guest
J'ai rencontré une mauvaise PMOS qui exige 1.2V (Threshold Voltage) pour allumer par rapport à une bonne PMOS qui ne requiert que 0,7 V (Threshold Voltage) pour activer, dans un de mes analyse de défaillance sur un dispositif FPGA.
Je voudrais savoir quelle est la cause profonde qui peut provoquer le PMOS pour allumer à une puissance plus Vt.Could-ce dû à la longueur du chenal entre drain et source?Lorsque la longueur du canal augmente, la résistance augmente aussi, ainsi, plus la tension est nécessaire à la conduite de la fuite des électrons à la source?Finalement, le VT est plus élevé pour que le transistor à activer.
Je voudrais savoir quelle est la cause profonde qui peut provoquer le PMOS pour allumer à une puissance plus Vt.Could-ce dû à la longueur du chenal entre drain et source?Lorsque la longueur du canal augmente, la résistance augmente aussi, ainsi, plus la tension est nécessaire à la conduite de la fuite des électrons à la source?Finalement, le VT est plus élevé pour que le transistor à activer.