longueur de canal> modulation

[ramy_maia]

Semblable à la "Lambda" paramètre qui a ajouté le terme ( lambda 1 * VDS) de la saturation actuelle équationJe veux savoir quel est le facteur de modulation de longueur de canal dans le "niveau 60: BSIM4.3.0« modèle et comment il ajouté à l'équation du courantJ'ai deviné c'est la PCLM, mais ne suis pas sûr, et je suis ne sais pas comment l'ajouter dans le calcul de la main de ma équations.Merci

CodeISPOSITIF MOS

MODÈLE: X1.NFET

TYPE N

Niveau 60: BSIM4.3.0les valeurs des noms des unités noms valeurs unités noms valeurs unités

----- ------ ----- ----- ------ ----- ----- ------ -----/************ Model_parameters ************/

VERSION = 4.3000E 00 - TNOM = 2.5000E 01 F/m2 degC CDSC = 0,0

CDSCB =- 1.9400E-02 F / Vm ^ 2 = 0,0 CDSCD F / Vm ^ 2 = 0,0 CIT F / m ^ 2

NFACTOR = 1.0000E 00 - XJ VSAT = m 1.0000E-07 = 1.0630E 05 m / s

AT = 6.8220E 04 m / s = A0 1.2000E 00 - AGS = 9.0000E-01 1 / V

A1 = 0,0 1 / V = A2 1.0000E 00 - KETA =- 5.3070E-02 1 / V

NSUB = 6.0000E 16 cm-3 = NDEP 1.0000E 17 cm-3 NSD = 1.0000E 20 cm-3

NIMP = Ngate 1.0000E-01 V = 21 cm 1.0000E VBM-3 =- 3.0000E 00 V

XT = 1.5500E-07 m K1 = 4.2837E-01 V ^ 1 / 2 =- KT1 3.0000E-01 V

KT1L =- 6.6000E-09 Vm = KT2 1.0100E-02 - K2 =- 8.5000E-02 -

K3 =- 1.3500E 00 - K3B = 1.4400E 00 1 / V = W0 1.0000E-09 m

DVTP0 = 9.0000E-06 m = DVTP1 5.0000E-01 1 / V = LPE0 3.4900E-08 m

LPEB = 1.0000E-09 m = DVT0 7.9500E 00 - DVT1 = 7.5000E-01 -

DVT2 =- 2.0200E-01 1 DVT0W V / = 2.3000E-02 1 DVT1W m / = 4.2780E 05 1 / m

DVT2W = 5.0000E-01 1 Drout V / = 9.4163E-01 - DSUB = 3.6000E-01 -

VTH0 = 3.0550E UA-01 V = 1.8650E-10 m / V = UA1 1.5460E-09 m / V

UB = 2.5460E-18 (m / V) ^ 2 =- UB1 3.2890E-18 (m / V) ^ 2 = UC 1.7070E-10 m / V ^ 2

UC1 =- 1.5300E-10 m / V ^ 2 = U0 5.2600E 02 unit1 UE = 1.6700E 00 -

UTE =- 2.0730E 00 - VOFF =- 1.5580E-01 MINV V =- 4.2510E-01 -

RDSW = 1.1520E 02 Unit2 RSW = 1.0000E 02 Unit2 RDW = 02 1.0000E Unit2

PRWG = 0,0 1 PRWB V / 0,0 V = ^ -0,5 PRT =- 6.0900E 01 ohms (m)

ETA0 = 3.7700E-01 - ETAB =- 8.4270E-02 1 PCLM V / = 1.5820E-01 -

PDIBL1 = 1.0000E-05 - PDIBL2 = 1.0000E-05 - PDIBLB = 0,0 1 / V

FPROUT = 5.0000E 02 V ^ m / 0,5 = PDITS 2.6690E-01 1 / V = PDITSD 8.3090E-01 1 / V

PSCBE1 = 5.0000E 09 V / m = PSCBE2 5.0000E-06 m PVAG V / = 6.1000E-01 -

DELTA = WR 1.0000E-02 V = 1.0000E 00 - DWG = 0,0 m / V

DWB = 0,0 m ^ V / 0,5 = B0 1.0000E-09 m B1 = 1.0000E-09 m

ALPHA0 = 4.0000E-12 Am / V = 0,0 ALPHA1 A / V = BETA0 2.0000E 00 V

AGIDL VFB =- 1.0000E 00 V = 8.3000E-08 BGIDL mho = 2.9610E 09 V / m

CGIDL = 6.7000E V-01 ^ 3 = EGIDL 1.0000E-02 V = AIGC 1.2070E-02 Unité3

BIGC = 1.7300E-03 unit4 CIGC = 2.6530E-02 1 / V = AIGSD 9.2700E-03 Unité3

BIGSD = 1.1810E-03 unit4 CIGSD = 5.0120E-02 - AIGBACC = 1.2340E-02 Unité3

BIGBACC = 2.0960E-03 unit4 CIGBACC = 0,0 1 / V = AIGBINV 1.9700E-02 Unité3

BIGBINV = 0,0 unit4 CIGBINV = 1.4790E-03 1 / V = NIGC 2.7740E 00 -

NIGBINV = 3.0000E 00 - NIGBACC = 4.0000E 00 - NTOX = 1.0000E 00 -

EIGBINV = 2.2130E-03 V = PIGCD 1.0000E 00 - POXEDGE = 1.3000E 00 -

XRCRG1 = 1.2000E 01 - XRCRG2 = 1.0000E 00 - CGSL = 1.3150E-10 F / m

CGDL = 1.3150E-10 F / m = CKAPPAS 4.4040E 00 CKAPPAD V = 00 V 4.4040E

FC = 0,0 F SIC / m = 1.0000E-07 CLE m = 6.0000E-01 -

NOFF VFBCV =- 1.0000E 00 V = 2.6850E 00 - VOFFCV =- 1.7770E-01 V

ACDE = 4.0000E-01 m MOIN V / = 1.6770E 01 - FNMOD = 0 -

IGCMOD = 1 - IGBMOD = 1 - ACNQSMOD = 0 -

FNOIMOD = 1 - 0 = RDSMOD - DIOMOD = 1 -

PERMOD = 1 - 0 = Geomod - RGEOMOD = 0 -

RGATEMOD = 0 - 0 = RBODYMOD - CAPMOD 2 = -

TRNQSMOD = 0 - 0 = MOBMOD - TNOIMOD = 0 -

TOXE = BINUNIT 2.5100E-09 m = 1 - PARAMCHK = 0 -

IJTHDFWD = 1.0000E-01 A = TOXM 2.5100E-09 m TCJ = 8.5000E-04 1 / K

TCJSW = 1.2400E-04 1 / K = TCJSWG 1.1090E-03 1 TPB K / = 1.4700E-03 V / K

TPBSW = 0,0 V / K = TPBSWG 5.0000E-04 V GBMIN K / = 1.0000E-12 mho

RBDB = 5.0000E 01 RBSB ohms = 01 5.0000E RBPB ohms = 01 ohms 5.0000E

pratiques commerciales restrictives ohms = 01 5.0000E RBPD = 5.0000E 01 ohms = DMCG 1.0000E-07 m

DMCI = DMDG 7.5000E-08 m = 1.0000E-07 XGW m = 0,0 m

XGL = RSHG 5.0000E-09 m = 01 1.1000E ohm / m² = NGCON 1.0000E 00 -

IJTHSFWD = 1.0000E-01 A = XJBVD 1.0000E 00 - XJBVS = 1.0000E 00 -

BVD = 1.2000E BVS 01 V = 01 1.2000E TOXP V = 2.3100E-09 m

Dtox = 0,0 m = IJTHSREV 1.0000E-01 A = IJTHDREV 1.0000E-01 A

VOFFL =- 4.3650E-10 m PDITSL = 06 1.1170E une TNOIA m / = 1.5000E 00 -

TNOIB = 3.5000E 00 - NTNOI = 1.0000E 00 - RDSWMIN = 0,0 Unit2

RDWMIN = 1.8000E 02 Unit2 RSWMIN = 1.8000E 02 Unit2 DMCGT = 0,0 m

TOXREF = EPSROX 2.5100E-09 m = 00 3.9000E - JSWGS = 2.3389E-13 A / m

JSWGD = 2.3389E-13 A BCAG / m = 1.1230E-10 F CGDO m / = 1.1230E-10 F / m

CGBO = 1.0000E-12 F XPart m / = 0,0 - RSH = 1.2000E 01 ohm / m²

JSS = 6.4800E-07 A ^ m / 2 = PBS 9.0680E-01 MJS V = 4.4230E-01 -

PBSWS = 2.5290E MJSWS-01 V = 1.0010E-01 - RCS = 1.0400E-03 F / m ^ 2

CJSWS = 6.0000E-11 F / m = NOIA 2.1200E 42 unit5 NOIB = 2.1500E 26 1 / V

NOIC = 9.2000E 08 1/Vm ^ 2 = m LINT LL 0,0 = 0,0 m ^ LLN

LLN = 1.0000E 00 - LW = 0,0 m ^ LWN LWN = 1.0000E 00 -

LWL = 0,0 unit6 WINT = 0,0 m = 0,0 m WL ^ RFD

RFD = 1.0000E 00 - WW = 0,0 m ^ WWN WWN = 1.0000E 00 -

WWL = 0,0 unit7 DWC = 0,0 m = DLC 5.3020E-09 m

EM = 4.1000E 07 V EF / m = 00 1.2213E - AF = 1.0000E 00 -

KF = 1.5000E-27 - NJS = 1.0980E 00 - XTIS = 3.0000E 00 -

PBSWGS = 7.7850E MJSWGS-01 V = 8.0000E-01 - CJSWGS = 2.4000E-10 F / m

JSWS = 1.8780E-13 A LLC / m = 0,0 m ^ LWC LLN = 0,0 m ^ LWN

LWLC = 0,0 unit6 WLC = 0,0 m ^ RFD CME = 0,0 m ^ WWN

WWLC = 0,0 unit7 DWJ = 0,0 m = 6.4800E JSD-07 A / m ^ 2

V = 9.0680E PBD-01 V MJD = 4.4230E-01 - PBSWD = 2.5290E-01

MJSWD = 1.0010E-01 - MCJ = 1.0400E-03 F / m ^ 2 = CJSWD 6.0000E-11 F / m

NJD = 1.0980E 00 - XTID = 3.0000E 00 - PBSWGD = 7.7850E-01 V

MJSWGD = 8.0000E-01 - CJSWGD = 2.4000E-10 F / m = JSWD 1.8780E-13 A / m

DLCIG = 7.5000E-09 m =- 5.0000E XL-09 XW m =- 1.0000E-08 m* Paramètres * Binning

-------------------------------------------------- ----------------------Afficher uniquement les paramètres non nuls Binning

LNFACTOR =- 1.1200E-02 - GAL = 8.0000E-01 - LNDEP = 3.6190E 17 -* Version 4.3 de nouveaux paramètres *

--------------------------

TEMPMOD = 0,0 - RNOIA = 5.7700E-01 - RNOIB = 3.7000E-01 -

Lambda = 0,0 - LMLT = 1.0000E 00 - WMLT = 1.0000E 00 -

DELVT0 = 0,0 -* Scalable paramètres du modèle LD *

------------------------------

SAREF = SBREF 1.5000E-06 m = 1.5000E-06 WLOD m = 0,0 m

KU0 =- KVSAT m 2.0000E-08 = 0,0 m = KVTH0 2.0000E-09 m * V

TKU0 = 0,0 - LLODKU0 = 0,0 - 0,0 = WLODKU0 -

LLODVTH = 0,0 - WLODVTH = 0,0 - LKU0 = 0,0 unit8

WKU0 = 0,0 unit9 PKU0 = 0,0 = 0,0 unit10 LKVTH0 unit11

WKVTH0 = 0,0 = 0,0 unit12 PKVTH0 unit13 STK2 = 0,0 m

LODK2 = 1.0000E 00 - STETA0 = 0,0 m = LODETA0 1.0000E 00 -

 

[liuyonggen_1]

À mon avis, pour-niveau du modèle de haut, nous avons besoin d'une équation pour calculer le facteur de modulation de longueur de canal.En fait, ce n'est pas une constante.

 

[ramy_maia]

J'ai fait une caractérisation rapide de la MOS pour obtenir le sentiment de lambda juste pour les calculs initiaux

 

[Katherine]

Vous pouvez calculer le paramètre par la méthode que vous pouvez simuler une MOS I_V la caractérisation du niveau 60 et le niveau 1, et choisir un point à calculer lambda

 

[ramy_maia]

Katherine a écrit:

et choisissez un point pour calculer lambda

 

[leg1234]

modulation de longueur Channel au niveau bas (niveau 1) le modèle est une constante, mais elle change avec les conditions de polarisation différentes.La meilleure façon de faire est exécuter la simulation autour de la plage que vous bais, puis, prendre ce que le lambda constante pour le calcul de votre main.Depuis le lambda ne change pas beaucoup, l'hypothèse est raisonnable.Par conséquent, s'il vous plaît ne pas appliquer ce dispositif sur le chennel court.

 

[Invit]

Salut
Comme vous le savez sans doute, que le même dans le livre de Gray, chap.1 & 2, le Lambda est juste pour la modélisation des MOS faible niveau qui est un facteur constant pour calculer CLM dans MOS polarisé avec une longueur de canal, le courant et tension drain-source.mais en profondeur inférieure au micron processus notant effets de canal court (Razavi, le chap. 16), ce paramètre dépend de la longueur de canal du transistor MOS ainsi que sa source-drain tension de polarisation.
mais vous pouvez également utiliser d'autres simulateurs HSPICE ou manuel aide.
BWT, vous pouvez trouver des paramètres relatifs (Xd comme Gary) pour votre transistor (N ou P) par plusieurs simulations, mais environ!

Cordialement,
SAZ