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piano
Guest
J'ai une question concernant la mesure des fuites d'énergie statique en utilisant NanoSim.
Ce que
j'essaie de mesure est la statique perdu le pouvoir dans un NAND gate (ou d'ailleurs tout circuit ... je suis partant small).D'entrée est un HSPICE netlist d'un NAND gate (4 transistors).Entrées à la porte NAND 2 entrées à courant continu.Simulation de temps pour quelque 400 nsec (arbitraire).Qu'est-ce que je veux,
c'est la
les fuites dues à la puissance dissipée Subthreshold les courants de fuite qui coule à travers les circuits à courant continu.
J'ai lu dans la documentation ne NanoSim mesure de fuite (perdu) en cours -
à la fois statiques et dynamiques.J'ai essayé d'utiliser le track_wasted et split_wasted option.Selon les docs, il dit que le split_wasted option divise le gaspillage courants (les pouvoirs) en statique et dynamique.J'ai essayé pour un simple porte nand.Mon entrée est sous la forme d'une netlist SPICE:
. inc »TSMC-0.35um.model '
. global GND
V_vdd Vdd GND 1V
* V_a A1 GND PWL (0n 0 49N 0 50N 1 100N 1 101N 0)
* V_b B1 GND PWL (0n 0 100N 0 101N 1)
V_a A1 GND dc 0.0
V_b B1 GND dc 1.0* HSPICE fichier créé à partir de nanf201.ext - technologie: SCN4M.25.TSMC
. option scale = 0.25u
m0 O A1 Vdd Vdd CMOSPL w = 25 l = 2
Ad = 150 pd = 62 = 242 = 132 ps
m1 Vdd B1 O Vdd CMOSPL w = 25 l = 2
Ad = 0 = 0 comme pd = 0 ps = 0
m2 a_13_3 A1 GND GND CMOSNL w = 21 l = 2
Ad pd = 42 = 46 = 105 ps = 52
m3 O B1 a_13_3 GND CMOSNL w = 21 l = 2
Ad pd = 79 = 52 = 0 = 0 ps
C0 Vdd 6.8fF GND
** Hspice subcircuit dictionnaire
**. mesure tran Vdd_pwr puissance moyenne de 0ns = à = 400ns
. tran ,1 ns 200n
. fin
Ma cfg:
report_block_powr total track_power = 1 split_wasted = 1 *Lorsque
j'ai couru le circuit ci-dessus, il donne dynamique perdue = 0 W et statique gaspillage et W = 0% Wasted puissance = 100%.Je comprends la dynamique perdue partie - car il
n'y a pas de changement d'activité, il ne peuvent être des courants de court-circuit - mais ne devrait pas y avoir une fuite de puissance statique?
Est ce que
quelqu'un peut signaler à moi, ce que je fait de mal - ou est le simulateur ne permet pas d'obtenir cette valeur?Je voudrais vraiment apprécier si
quelqu'un jette un peu de lumière sur ce point pour moi.
merci d'avance
Ce que
j'essaie de mesure est la statique perdu le pouvoir dans un NAND gate (ou d'ailleurs tout circuit ... je suis partant small).D'entrée est un HSPICE netlist d'un NAND gate (4 transistors).Entrées à la porte NAND 2 entrées à courant continu.Simulation de temps pour quelque 400 nsec (arbitraire).Qu'est-ce que je veux,
c'est la
les fuites dues à la puissance dissipée Subthreshold les courants de fuite qui coule à travers les circuits à courant continu.
J'ai lu dans la documentation ne NanoSim mesure de fuite (perdu) en cours -
à la fois statiques et dynamiques.J'ai essayé d'utiliser le track_wasted et split_wasted option.Selon les docs, il dit que le split_wasted option divise le gaspillage courants (les pouvoirs) en statique et dynamique.J'ai essayé pour un simple porte nand.Mon entrée est sous la forme d'une netlist SPICE:
. inc »TSMC-0.35um.model '
. global GND
V_vdd Vdd GND 1V
* V_a A1 GND PWL (0n 0 49N 0 50N 1 100N 1 101N 0)
* V_b B1 GND PWL (0n 0 100N 0 101N 1)
V_a A1 GND dc 0.0
V_b B1 GND dc 1.0* HSPICE fichier créé à partir de nanf201.ext - technologie: SCN4M.25.TSMC
. option scale = 0.25u
m0 O A1 Vdd Vdd CMOSPL w = 25 l = 2
Ad = 150 pd = 62 = 242 = 132 ps
m1 Vdd B1 O Vdd CMOSPL w = 25 l = 2
Ad = 0 = 0 comme pd = 0 ps = 0
m2 a_13_3 A1 GND GND CMOSNL w = 21 l = 2
Ad pd = 42 = 46 = 105 ps = 52
m3 O B1 a_13_3 GND CMOSNL w = 21 l = 2
Ad pd = 79 = 52 = 0 = 0 ps
C0 Vdd 6.8fF GND
** Hspice subcircuit dictionnaire
**. mesure tran Vdd_pwr puissance moyenne de 0ns = à = 400ns
. tran ,1 ns 200n
. fin
Ma cfg:
report_block_powr total track_power = 1 split_wasted = 1 *Lorsque
j'ai couru le circuit ci-dessus, il donne dynamique perdue = 0 W et statique gaspillage et W = 0% Wasted puissance = 100%.Je comprends la dynamique perdue partie - car il
n'y a pas de changement d'activité, il ne peuvent être des courants de court-circuit - mais ne devrait pas y avoir une fuite de puissance statique?
Est ce que
quelqu'un peut signaler à moi, ce que je fait de mal - ou est le simulateur ne permet pas d'obtenir cette valeur?Je voudrais vraiment apprécier si
quelqu'un jette un peu de lumière sur ce point pour moi.
merci d'avance