Dans un stade de la préparation, la jonction PN ensemble de l'espace de la diode est revêtue d'une couche de verre de passivation. La couche de passivation de verre est appliquée à toute la zone de coupe de chaque puce de diode et tiré séparément au cours de la procédure de préparation. La jonction PN ouvert du verre de silicium semi-conducteur diode puce passive a une coupe en biseau positive, donc la résistance de tension inverse peut être améliorée et la possibilité de fuite peut être réduite.
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