Pourquoi PMOS pour tirer vers le haut et NMOS pour tirer vers le bas?

E

electronics_sky

Guest
Salut à tous,

Je suis toujours à confusion pourquoi on apprend toujours à l'Uni que source de type n de MOS nécessaire de lier à GND et la source de pMOS nécessaire de lier à la DMV.

Je ne peux comprendre que si souce de NMOS est lier à la DMV fera Vout = VDD-Ve, et si contrastly souce de pMOS se noue à la DMV fera Vout = Ve.Mais pourquoi cela se produise?

S'il vous plaît ajouter des renseignements supplémentaires lorsque cela est nécessaire.Merci!

 
Salut
source de NMOS peut pas se connecter à la DMV, car
Après la connexion de son nom, c'est la fuite.
courant de la DMV au noeud d'autres et ne peut découler contre des NMOS en cours.
J'espère que ce sera utile.
en ce qui concerne
Dernière édition par hr_rezaee le 24 Jan 2007 13:26, édité 1 fois au total

 
Ne pas confondre, je peux donner la réponse exacte,

comme u dit, quand NMOS et PMOS sont interchangeables dans le CMOS convertisseur de base, le swing de sortie sera de DMV-Ve au Ve.
take nmos pass transistor , u give 1 terminal to vdd and the gate terminal (vgs) to vdd.

Motif:
NMOS prendre passer transistor, u donner 1 borne à la DMV et la borne de grille (VGS) à la DMV.maintenant u ne peut pas obtenir la DMV à l'autre (sourse) terminal de NMOS, c'est bcoz lorsque la sourse est facturé à la DMV-Ve puis le VGS efficace = (DMV-(DMV-vt)) = VGS> = vt.maintenant u ne peut pas charger la Furthur sourse comme il va dans la fréquence de coupure si la tension est inférieure à vt pour le transistor NMOS.transistor NMOS alors est éteint (coupure) et la sortie est DMV-VT.

appliquer les mêmes pour les PMOS, maintenant analyser la porte inverseur CMOS, u trouverez la réponse.
Dernière édition par Subramanyam le 25 janvier 2007 06:20, édité 1 fois au total

 
Je vais essayer de l'expliquer
lorsque l'entrée à l'NMos est faible (0), cela signifie moins de Vgs de sorte que la Ve NMOs est éteint
Pour les mandats postaux lorsque l'entrée = 0 alors Vsg> | VTP | (ce qui est négatif) de sorte que le transistor est sous tension et O / P = VDD PMOS dite tirer vers le haut

pour i / p est élevé l'inverse »ll se

 
Salut,

PMOS transfert de bonne valeur de 1 et NMOS valeur de transfert bien 0
(Signifie que vous pouvez obtenir de rail à rail balançoire)

 
Disons que vous avez votre Vdd reliée au drain du NMOS et la sortie est prise à la source.Lorsque applicable Vdd à la borne d'entrée et si la tension grille-source Vgs> Ve, puis vous avez un canal inversé et VDS> 0 entraîne le passage du courant à la source de la charger et en le tirant jusqu'à la source de tension.La source de tension ne peut pas aller plus haut Vdd-Ve parce que lorsque la source de tension atteint cette limite il n'y a pas de canal pour le passage du courant de fuite à la source, et donc la source de tension ne peut pas augmenter.

Quelqu'un me corriger si ce n'est pas juste.

 
Mathi a écrit:

Disons que vous avez votre Vdd reliée au drain du NMOS et la sortie est prise à la source.
Lorsque applicable Vdd à la borne d'entrée et si la tension grille-source Vgs> Ve, puis vous avez un canal inversé et VDS> 0 entraîne le passage du courant à la source de la charger et en le tirant jusqu'à la source de tension.
La source de tension ne peut pas aller plus haut Vdd-Ve parce que lorsque la source de tension atteint cette limite il n'y a pas de canal pour le passage du courant de fuite à la source, et donc la tension de la source ne peut pas augmenter.Quelqu'un me corriger si ce n'est pas juste.
 
Salut à tous,
Je vais essayer de répondre, si elle n'est pas corect n'hésitez pas à coment.
Dans la source et le drain NMOS est dopé avec le type de matériau-n et le substrat est de type p, la polarisation serait de vidange à la DMV, source à GND et porte Vin.Le substrat est conected à GND, pour rendre le comportement de la NMOS> vt Vin.Mais Vt dépend de partialité du corps, la mobilité et la concentration de dopage ainsi que la longueur de canal.
Si le corps est conected à GND puis le potentiel de la source diferenc b / w et du corps est égale à zéro, donc avec Vin appliquée la région de canal se inversés sans effet de corps (puisqu'il n'y a pas vbs).Comme la tension du corps augmente, il est en augmentation et, partant, vbs Vin besoins effort supplémentaire pour surmonter les vbs et de faire le radier par sourceing électrons de la source.l'explication en est de même pour les trous WRT PMOS.

 
Merci pour les réponses.

J'avais eu l'idée derrière cela.

cheers !....

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