Regardez la figure 2,53 (b) de la conception de Razavi CMOS Analog IC

Q

qiushidaren

Guest
Je sais qu'il doit être VX> VG / VTHP /, mais je ne peux vraiment pas imaginer à quel point la tension de la borne de drain des deux transistors changements deux, je ne peux pas obtenir une formule ou une autre chose de le décrire, quelqu'un peut-il expliquer comment elle change que les changements VX pour moi?
Merci d'avance!

 
qiushidaren a écrit:

Je sais qu'il doit être VX> VG / VTHP /, mais je ne peux vraiment pas imaginer à quel point la tension de la borne de drain à la fois des changements de deux transistors, je ne peux pas obtenir une formule ou une autre chose de le décrire, quelqu'un peut-il expliquer comment elle change que les changements VX pour moi?

Merci d'avance!
 
Je pense en général au moins un des dispositifs sera opérationnel dans la région linéaire - qui signifie que vous pouvez calculer Ron (qui est fonction de la tension de drain).

 
jfyan a écrit:qiushidaren a écrit:

Je sais qu'il doit être VX> VG / VTHP /, mais je ne peux vraiment pas imaginer à quel point la tension de la borne de drain à la fois des changements de deux transistors, je ne peux pas obtenir une formule ou une autre chose de le décrire, quelqu'un peut-il expliquer comment elle change que les changements VX pour moi?

Merci d'avance!
 
jfyan a écrit:qiushidaren a écrit:

Je sais qu'il doit être VX> VG / VTHP /, mais je ne peux vraiment pas imaginer à quel point la tension de la borne de drain à la fois des changements de deux transistors, je ne peux pas obtenir une formule ou une autre chose de le décrire, quelqu'un peut-il expliquer comment elle change que les changements VX pour moi?

Merci d'avance!
 

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