Req: TSMC 0.18um paramètres du procédé

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wave-maniac

Guest
Je suis à la recherche des paramètres de processus de TSMC 0.18um, tels que l'épaisseur des couches de métal, de la permittivité et la perméabilité du substrat, des couches d'oxyde, etc j'ai besoin de l'info de mettre en place une simulation 3D pour les inducteurs en spirale. Toute aide serait grandement appréciée.
 
essayer www.mosis.org et le lien des paramètres électriques. regarder leurs feuilles de l'exécution. Vous obtiendrez toutes les réponses à vos questions de leurs fiches de données. merci.
 
chinito Dear & v_naren, j'apprécie vraiment vos réponses et les efforts pour m'aider. Malheureusement, les informations sur l'épaisseur des couches de métaux différents et la constante diélectrique, nécessaires pour modéliser les inducteurs en spirale, n'est pas mentionné dans l'un des fichiers il ya dans le lien ci-dessus. Cordialement
 
Les paramètres que vous cherchez pour varier un peu d'un fabricant à l'autre. Vous devez communiquer avec l'un d'eux pour de telles informations. Vous pouvez envoyer un e-mail aux adresses ci-dessous: mosis-info@mosis.org
Code:
 | [email] webmaster@mosis.org [/email]
Peut-être qu'ils peuvent vous aider plus. Désolé je ne peux pas vous aider.
 
Je doute fort que tout wil fonderie révéler leur «information importante» tels que la constante diélectrique et tous les isnt ...... qui devait être leur secret et tout?
 
v_naren Cher, j'ai vu ces données pour d'autres procédés et technologies. Sinon, qui serait capable de modéliser les caractéristiques passive l'intérieur d'un IC, en particulier de type RF? Au moins l'info sur l'épaisseur des différentes couches métalliques sont nécessaires si l'on va utiliser généralement connu valeur constante diélectrique du silicium.
 
Je pense qu'il devrait y avoir un manuel de conception pour le processus qui décrivent les paramètres. Une façon d'obtenir le S-paramètres d'un inducteur est à la disposition de l'inducteur en cadence, et à l'importation dans l'élan d'ADS de faire la simulation EM.
 

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