salut, je veux savoir la différence entre NOR et NAND

G

guwen517

Guest
flash design, ces deux types ont défavorisées et désavantagées, peut
quelqu'un me montrer ce qui est préférable pour flash de vitesse de lecture et d'écriture?
merci beaucoup

 
Pour de base flash NAND et NOR flash est un peu sommaire

NOR:
Rédiger et Slow Slow Effacer ....
Doit Effacer bloc avant d'écrire un seul mot dans ce bloc

Fast suit:
Full asynch (radmon permettent de lire un seul mot dans la mémoire)
Page lue (asynchrone contiguë mot lu)
Burst lire (synchrone rapide pour lire les mots contigus)

Usage: pour le code général XIP (Exécution en place)

NAND:

Fast écrire

permettre seulement lire une page entière (généralement de 512 octets)
Nous pouvons trouver de rechange octets dans la page (pour améliorer la logique de blocs, et wearleveling ECC)

Usage: généralement utilisé pour les capacités de stockage (mp3, jpg, etc)

 
Voici une doc
j'ai obtenu à partir de Toshiba il ya un moment.

Observe
NTFreak
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salut

Nand est meilleur que ne Gates nand Parce que dans la mobilité des électrons est de 2,5 fois plus grande que, ni la porte

 
2 porte Nand sont les éléments constitutifs d'un peu tous les processeurs de manière dit mon professeur et tous les schémas que nous attirer doit être dans le porte nand 2.i hate them!

just my 2 cents

 
Il est deux version flash:
De même, la plupart employés dans les 0-8Mbyte, NAND et l'utilisation de 8 -....
Nor est plus rapide que la vitesse de lecture nand, mais plus lente en écriture.
nand falsh presque utiliser le disque en magasin.

 
Renesas libérés et le flash, il
est plus rapide que la NAND à écrire, et il peut être utilisé en MP3 ou un appareil photo
etc
 
NAND Flash ont généralement invalide blocs
(par exemple, SAMSUNG K9K2GXXX0M, K9W4GXXU1M - 30 blocs)
et vous devez les exclure de la lecture / écriture ops.par
certains algorithmes.

NAND - flux principal de l'application (musique, voix de stockage, etc)

NOR Flash havn »t de cette difficulté.

 
Nand est meilleur que ne Gates nand Parce que dans la mobilité des électrons est de 2,5 fois plus grande que, ni la porte

 
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