H
Huihui
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1) D. Zoschg, W. Wilhelm, "2dB figure de bruit, 10,5 GHz utilisant LNA SiGe technilogy bipolaire», Electronics Letters, Decmber 1999.
2) U. Erben, A. Schumacher, «Application de transistor bipolaire SiGe heterojuncion en 5.8 et 10GHz amplificateurs à faible bruit», Electronics Letters, Juillet 1998.
3) H. Ainspan, "A bas 6.25GHz DC Power amplificateur faible bruit en SiGe,"
IEEE Custom Integrated Circuits Conference, vol.pp.177-180, 1997.
4) J. RLong, "RF Circuits analogiques et numériques de la technologie SiGe," IEEE International Solid-State Circuits Conference, vol.39, pp.52-54, Février 1996.
5) D. Zoschg, W. Wilhelm, "Monolithic LNA jusqu'à 10GHz dans la production quasi-65Ghz fmax technologie silicium bipolaire», intégrée en 2000 IEEE Symposium circuits radio fréquence, Digest of Papers, pp.135-138, Juin 2000, MON4B -1.
6) Masayoshi Ono, Norihru Suematsu, "On-chip 1.9GHz/5.8GHz-Band SI maeching-amplificateurs à faible bruit MMIC fabricated on High Resistive Si subState", IEEE MTT-S Int.Microwave Symposium Digest, vol.2, pp.493-496, Juin 1999.
2) U. Erben, A. Schumacher, «Application de transistor bipolaire SiGe heterojuncion en 5.8 et 10GHz amplificateurs à faible bruit», Electronics Letters, Juillet 1998.
3) H. Ainspan, "A bas 6.25GHz DC Power amplificateur faible bruit en SiGe,"
IEEE Custom Integrated Circuits Conference, vol.pp.177-180, 1997.
4) J. RLong, "RF Circuits analogiques et numériques de la technologie SiGe," IEEE International Solid-State Circuits Conference, vol.39, pp.52-54, Février 1996.
5) D. Zoschg, W. Wilhelm, "Monolithic LNA jusqu'à 10GHz dans la production quasi-65Ghz fmax technologie silicium bipolaire», intégrée en 2000 IEEE Symposium circuits radio fréquence, Digest of Papers, pp.135-138, Juin 2000, MON4B -1.
6) Masayoshi Ono, Norihru Suematsu, "On-chip 1.9GHz/5.8GHz-Band SI maeching-amplificateurs à faible bruit MMIC fabricated on High Resistive Si subState", IEEE MTT-S Int.Microwave Symposium Digest, vol.2, pp.493-496, Juin 1999.