Step Down DC DC Converter

M

Mahen

Guest
Salut Guy,
Le produit que je suis la manipulation est d'utiliser un convertisseur continu-continu abaisseur, selon lequel la sortie sera d'environ 13,8 V et l'entrée est capable de varier de 11V à 26V.Le prodcut était trempé dans la chambre de température dans laquelle elle passe par un cycle de température de 85 C à-45C pendant 2 jours, ce qui fait partie du profil de test et a été constaté que le transistor de commutation (PNP) brûlés.
Quelqu'un pourrait-il me dire ce qui aurait pu causer le problème.La tension utilisée à cette époque était 17V celui-ci s'écoule normalement autour de 3 bis, mais nous avons découvert que le courant est passé à 14A avant le transistor obtenu brûlé.

Quelles sont les causes potiential du transistor pour obtenir brûlé?

 
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Salut Mahen,

Quote:

température du cycle de 85 C à-45C
 
-45 ° C à 85 ° C est la gamme de température assez large ..
Très probablement le dommage s'était produit à 85 ° C, soit près de cette limite.
Ce que vous devez faire est de vérifier la cote de température des composants.
Pretty notation commerciale commune se situe entre 0 ° C et ≈ 85 ° C.
Si vous pensez que le dissipateur du transistor de commutation est suffisante en taille alors je blâme plutôt d'autres éléments, principalement des caps, pour la défaillance du circuit ..
Observe,
IanP

 
Comment une sortie du convertisseur abaisseur 13.8V partir d'une entrée 11V, il ne peut pas être un régulateur abaisseur alors.

 
Salut Mohamedtaha,
Désolé mais quand il est 11V il donne autour de 11 V ainsi .... quand il est highete puis 13,8 puis elle donne constamment des 13.V.Désolé pour la confusion.Ajouté après 5 minutes:HI IanP,
Le problème est que ce transistor PNP n'est pas livré avec un dissipateur thermique.; (Auparavant devant nous qualifions ce produit il a été de ne pas avoir un tel problème. Rien n'a changé dans la conception. Mais au bout de 1,5 ans de la vente de ce produit récemment que nous avons été confrontés à ce problème sur le produit nouvellement fabriqués.Ajouté après 15 minutes:Salut SkyHigh,
Le cycle de température de 85 C à-45C est le profil de tests, nous utilisons normalement pour notre produit pendant des années.Et, comme mentionné ce produit a été initialement avoir aucun problème mais depuis peu seulement.Nous avons vérifié s'il existe un court-circuit n'importe où en raison des questions de processus, mais tout semble ok.

Désolé, nous gérons na pas de surveiller la température lorsque le courant est passé à 14A tandis que nous courons 30 unités de produits à la fois et il est difficile d'obtenir des données comme ça.Mais je crois qu'il aurait été 85 C ce moment.

Normalement, l'émetteur et collecteur broches est court-circuité et parfois brûlés.Avez-joint la fiche technique et du brûlé PNP Transistor.Hope it will help.
Merci pour tout votre soutien.
Désolé, mais vous devez vous loguer pour voir cette pièce jointe

 
J'ai vu la photo prise pour le transistor PNP brûlé et j'ai lu la fiche technique de ce transistor.

1.Par inspection visuelle de la photo, l'émetteur est gravement brûlé.Le collecteur et la base sont bien.Bien que la tache brune foncée apparaît sur la broche du collectionneur, c'est le plastique brûlé recouvert sur la broche collecteur car il est à côté de l'émetteur (broche et le paquet étui en plastique).

2.Sur la base de la feuille de donnée et à partir de votre description sur la manière dont le transistor PNP est utilisé par votre produit, le transistor ne fonctionne pas bien en deçà de la cote maximale.

Se référer à la fiche technique,-15A est le maximum (-ve signe indique que le collecteur est l'entrée du PNP), mais-8A est la cote typique et le PNP est saturé (VCE) à température ambiante de 25 ° C.

Reportez-vous à la page 3 de la feuille, regardez dans le lot "Forward Bias Safe Operating Area"
Ic est limitée à un maximum de 11A quand la VCE est 2V à température ambiante.

14A sera certainement «RFY» ce transistor même à température ambiante, inutile de le mentionner même sur son exploitation à plus haute température et à plus haute fréquence de commutation.

Notez que la fréquence de commutation provoque également augmentation de l'apport de puissance.Quelle est la fréquence utilisée?

Rappel: Ce PNP utilisée ici a été conçu de telle manière que le collecteur est capable de prendre jusqu'à un courant plus élevé car il est l'entrée, généralement avec une résistance de limitation de courant avant de protéger le collecteur de haute tension et la fourniture de courant élevé.Habituellement puisque la base est protégée en limitant les résistances et les HFE ou le gain de la PNP de veiller à ce très faible courant de sortie de la base, il est sûr.Mais si le côté de la charge, où l'émetteur est relié, n'offre pas une protection suffisante de réduction du courant, l'émetteur sera "frite" en vertu de ces circonstances.

Si le transistor PNP est soudainement éteint, ce qui provoque la tension d'entrée sur le collecteur à l'entrée PNP PNP est plus faible que l'émetteur et de la charge, l'injection contre-courant de la charge devrait s'élever de la PNP de l'émetteur.Cet effet de l'injection arrière est fait plus fort de l'inductance due à dos EMF (loi de Lenz).

N'oubliez pas que le condensateur entre l'émetteur et de la charge peut s'acquitter de la charge et à l'émetteur du PNP depuis qu'il est le chemin commun ou noeud à la charge.

Je soupçonne qu'il n'existe pas de diode de protection en série entre l'émetteur du PNP et l'inductance.

Il existe toutefois une diode qui est habituellement utilisé dans l'étape vers le bas ou le convertisseur abaisseur, mais cette diode est connectée en parallèle avec l'inductance et le condensateur (parallèle condensateur à charge).Toutefois, cela ne protège pas l'émetteur PNP.

Vous pouvez avoir la méthode de protection suivantes:

Branchez un diode de puissance parallèles (1N4003 par exemple) entre l'émetteur et le collecteur de la PNP tels que la cathode de la diode est reliée au collecteur PNP, l'anode de la diode reliée à l'émetteur PNP.Il s'agit d'assurer un circuit d'inertie pour fournir une voie de décharge du condensateur chargé à la charge à la décharge d'énergie stockée par l'intermédiaire de la PNP dans une boucle récursive.Cela fournit aussi un chemin crée un puissant tour de l'EMF de retour de l'inductance due à la loi de Lenz.Cela détourne l'injection d'énormes courant via la diode.

Ce transistor PNP seulement signalé récemment à l'échec parce qu'elle a utilisé pendant un certain temps.Il a travaillé pendant un certain temps, mais pendant la période où ce PNP est au travail, le fil d'émetteur d'obligations entre la matrice et la goupille paquet est lentement en raison de la fusion de retour d'injection jusqu'au jour où ce problème se produit.

 
Peut-être que vous devriez envisager de PNP de puissance à transistor à faible VCESAT.
Regardez, par exemple, BD744: http://clinch.ch/CLINCH/Robotik/BD744.pdf
De son VCESAT characterisitc / Ic vous verrez que ce transistor aura VCESAT <1V (at) 10A ..
Peut-être vous avez juste besoin transistor plus robuste ..
Observe,
IanP

 
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