Swithing règlement question

I

Ilter

Guest
Chers tous,
J'ai quelques questions.
1.I design swithing tampon regulator.Do nécessité d'ajouter, entre nonoverlap circuit et MOS de puissance?
2.Comment puis-je me décide enfin MOS Power.
3.En cas je utiliser un régulateur LDO et en parallèle.Parfois LDO est allumé et Sometims SW est allumé.Si LDO est allumé et NMOS SW est éteint, est-il ok?Chose qui dois-je prendre soin?
4.LDO besoin d'un condensateur à une indemnisation.Si mon courant de sortie est plus grande, mon ESR est plus petite marge de phase est alors mieux?pourquoi?
Merci beaucoup?
Désolé, mais vous devez vous loguer pour voir cette pièce jointe

 
(1) Oui, vous avez besoin, parce que la grande porte-cap du transistor passer.
(2) aussi court que vous si le processus est PERMITED
(3) ok
(4) Comment votre op de LDO?

 
Paley a écrit:

(1) Oui, vous avez besoin, parce que la grande porte-cap du transistor passer.

(2) aussi court que vous si le processus est PERMITED

(3) ok

(4) Comment votre op de LDO?
 
J'apprends à propos régulateur abaisseur.
Combien actuelle est suffisante pour contrôler FET de puissance avec QGS donné et QGD?

 
Salut, it's all about Q = C.V.Ici vous pouvez aller pour une lecture agréable:
http://focus.ti.com/lit/ml/slup169/slup169.pdf
Une autre bonne référence sur le sujet:
http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1084.pdf

Have a nice day

 
Merci vous!
J'ai une autre question: Comment puis-je calculer Qgate de MOSFET de puissance avec Vds?
Ex: Qg = 4.5n avec Vds = 10V (Fiche technique)
Qg =?avec Vds = 5.5V?

 
Calculer le Qg de cette façon:
Qg = Cgs * Vgs Cgd * VGD CGB * VGB dans ma compréhension.

 
Désolé pour ma réponse tardive.Avez-vous trouvé les réponses dont vous avez besoin dans l'application.notes?Si non, dites-le moi.

 
Merci inventeur!
Mon ami m'a dit "pour la plupart des MOSFET de puissance du appoximation peuvent être utiles:
DMC = 2 * Crss1.sqrt (Vds1/Vdsoff) "
At-il raison?Ajouté après 1 minutes:Désolé, je veux dire est Crss1 SIR Vds1 (fiche technique)

 

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