Une question à propos de coin processus.

H

holddreams

Guest
J'ai conçu un ampli op-cascode replié, et courut dans la simulation tt_corner.
L'un des ID = 13uA MOS, mais lorsqu'il est utilisé ff_corner (les autres paramètres ne change pas, vous ne changez tt_corner par ff_corner), IDS a alors changé de 29uA, si grand!
Et quand ss_corner l'aide, ce seuil MOS!

Comment dois-je faire?

Merci.

 
Thats droit!Vous devez faire votre conception plus robuste contre les variations du processus.Une tension de polarisation bon générateur peut vous aider dans cette affaire.Comment êtes-vous votre sollicitation cascodes?Un parti pris de qualité peut contribuer suivre les variations du processus.

Bonne chance

 
Je suppose, il se peut que du modèle de processus.
J'ai fait un test, il suffit d'utiliser un transistor NMOS, dont la source et en vrac ont été relié à la terre, et a la porte, un vin = 3,3 V, V (drain) = 3,3 V, puis sur Exécuter. Op,
et dans le lis. fichier, le changement Id environ 15% sur tt_corner et ff_corner.
Mais si, quand Vin = 1.1V, v (drain) = 3,3 V, alors l'Id changé au sujet de 100% environ et tt_corner ff_corner.

 
holddreams a écrit:

Je suppose, il se peut que du modèle de processus.

J'ai fait un test, il suffit d'utiliser un transistor NMOS, dont la source et en vrac ont été relié à la terre, et a la porte, un vin = 3,3 V, V (drain) = 3,3 V, puis sur Exécuter. Op,

et dans le lis. fichier, le changement Id environ 15% sur tt_corner et ff_corner.

Mais si, quand Vin = 1.1V, v (drain) = 3,3 V, alors l'Id changé au sujet de 100% environ et tt_corner ff_corner.
 
S'il vous plaît usage courant source idéale pour vérifier votre sollicitation.

 

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