VDS

[Blackuni]

Salut à tous,

Comment VDS est calculé pour les transistors MOS empilés??

Merci,

 

[Blackuni]

Salut,

une idée??Merci,

 

[engrak]

can u plz expain ur question?

 

[Blackuni]

Salut,

Merci,

Si u pile 3 transistors.Comment le drain et la source de tension du transistor milieu est arrivé ..

Si u ne. Analyse op HSPICE il affichera la valeur vds pour chaque transistor.Comment cette valeur est obtenue.

Merci,

 

[Blackuni]

toutes les entrées????

 

[leo_o2]

Cela dépend de VGS et Vdd.Il est réalisé par R itération algorithme de Newton-

 

[Espadon]

Avec un transistors MOS empilés vous devez prendre soin que le fait que tous les transistors doivent être de la saturation (par exemple si elles sont utilisées comme un miroir de courant).

Par exemple, pour une structure NMos:
Commencez par celui de dessous.Celui qui est directement connecté à GND.
Choisissez L, W, Vds (base sur le bruit / correspondance / courant).Après que aller à l'autre transistor.
Choisissez de nouveau le L, W et VDS.D'après l'équation, vous obtiendrez la tension de grille.Parce que généralement la majeure partie du deuxième transistor est relié à la masse même du premier transistor, vous remarquerez que Vds est différente pour la même taille.
Et Répétez la même procédure pour le transistor 3e.

Quelques remarques:
Si cette structure est un miroir curent vous devez régler le bruit correspondant avec le 1er transistor.Le transistor d'autres qui est au-dessus de qui est utilisé seulement pour accroître la déroute par aprox (1 * gm2 Ro2).Ainsi, pour la deuxième transistor, vous pouvez utiliser plus un rapport E / L.Cela permettra d'améliorer votre gamme de tension de sortie.

 

[Blackuni]

Salut Espadon

Merci beaucoup pour vos contributions.

Yat-il une équation afin de relation entre VDS et la dimension d'un MOS (W & L)

Merci,