Nand ou NOR Delay

S

spauls

Guest
Par rapport E / L de 5 / 2, qui porte a un retard plus important NAND ou NOR.

 
Je suppose que n'a pas non plus de délai, puisque la logique de l'effort NOR est plus NAND.Correct des lieues de moi si je me trompe

 
NAND peut être fait en ayant des transistors en série.
si la résistance globale sera plus grande par rapport à NOR avec des transistors en parallèle.
le retard est directement proportionnelle à R.
la NAND aura plus de retard.

 
Quelle logique que tu veux dire?
Digital logique?ou Flash structure?
Sur la logique, je pense que la Nor est plus rapide que NAND,
pour son transistor P est parallèle

 
Ni aura plus de retard pour arracher et Nand plus pour démolir ... tarification prendra plus de temps ... ni aura plus de retard

 
pour transmettre un 1 NAND GATE prend plus tradition temps.pour 0 porte NOR taks plus de temps (selon la conception CMOS, transmettant 1 signifie 0 / P est élevé.

Check it out
observe

 
NOR seule porte. Cela peut être consulté à partir du circuit lui-même.Vous avez une connexion série de deux PMOS d'une plus grande W / L (4 fois celle du NMOS d'avoir lieu même et à l'automne le temps).si cela augmentera le temps de charge à la porte de cas OGF ni comparés à la porte NAND.

 
Salut,

Think U Have got replys nombreux, mais je crois que c'est simple et tout se ramène à un concept appelé Rd ON de PMOS et NMOS ..thats all

PMOS n'a plus Rd ON PMOS ainsi que cela prend plus de temps à basculer.

Comme n'a pas non plus PMOS NMOS en série et en parallèle il prend plus de temps pour basculer ..Thats all dude ..

Observe.

 
Oui ni a plus de retard car il a p-transistors en série
En cas de NMOS Nor est plus rapide que NAND
Merci
Pradeep

 
Salut,

Lorsque vous dites que le NMOS et PMOS, vous faites référence à des circuits périphériques autour du réseau de base de flash (p.ex. amplificateurs sens) mais pas sur le tableau de base de Flash lui-même.

Ai-je raison?

 
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